Silizium
Silizium ist das technisch reinst erhältliche Material. In der Reinheitsskala ist es 4 Klassen
reiner als Quarz und 7 Klassen reiner als Siliziumkarbid. Die Kontamination von Alkali und
Schwermetallen beschränkt sich auf den ppb – Bereich. Silizium hat eine Arbeitstemperatur
von 1350°C und bleibt auch nach längerem Einsatz im Hochtemperaturbereich stabil. Die
Wärmeausdehnungseigenschaften sind gleich wie die der Wafer .
Im Vergleich zu anderen, in der Halbleiterindustrie verwendeten Materialien, garantiert das Silizium höchste Reinheit während des Prozesses. Aus diesem Grund ist Silizium das optimale
Material für den Halbleiterprozess. Silizium hat eine sehr feine Oberflächenbeschaffenheit.
Spezielle Oberflächenreinigung und Qualitätskontrolle gewährleisten einen partikelarmen
Prozesses.
Herstellung von CZ Silicon und Bearbeitung von FZ & CVD Silicon
| Silicon | Quartz |
SiC | |
|---|---|---|---|
| Divitrification | No | Yes | No |
| 1200 to 1300 °C | Stable | Plastic, Warps | Stable |
| Coefficient of thermal Expansion | Similar to wafer | ~5 Times less | ~1.85 Times more |
| Thermal conductifity (1000 °C) | Similar to wafer | ~10 Times higher | ~10% less |
| Estimated costs of ownership (anno) | 100% | ~380% | ~195% |
| Slip at 1200 °C | None | N.A. | Yes |
| Purity | 0.35 | 4.1 | 1.45 |
Produkte
Silizium Wafer Boote
- für Wafer von 2“ bis 12“
- Schlitzbreiten ab 0,3 mm
- je nach Schlitzgeometrie 1 - 400 Schlitze
- Horizontal und Vertical Boote
- Platten - , Schalen oder Stabboote
- für automatische Waferhandlingsysteme
- für alle standard Ofensysteme
- für Hochtemperaturanwendungen 1350°C
- Boote nach Kundenspezifikation
Horizontal Boote
Vertical boote
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- Rohre bis Durchmesser von 230 mm
- und Längen bis 2300 mm
- mit Endkappen und Gasanschlüssen
- für alle standard Ofensysteme
- Liner, Injekor uns Pedestals für alle Ofensysteme
- In gots und Stäbe
- Platten und Prismen
- Showerheads
- Teile nach Kundenspezifikation
Rohre
Showerheads
Sonderanfertigungen
Spezielle Verbindungstechniken
- Glassing Technologie für Siliziumprodukte
Temperaturbeständig bis 1100 °C, säurefest - Crystallisation ( 100% Homogene Kristallverbindung )
Temperaturbeständig bis 1350 °C, säurefest
Czochralski Ziehanlage
Herstellung von CZ Silizium für die Produktion von verschiedensten Teilen nach Kundenspezifikation.