Silizium

Silizium ist das technisch reinst erhältliche Material. In der Reinheitsskala ist es 4 Klassen reiner als Quarz und 7 Klassen reiner als Siliziumkarbid. Die Kontamination von Alkali und Schwermetallen beschränkt sich auf den ppb – Bereich. Silizium hat eine Arbeitstemperatur von 1350°C und bleibt auch nach längerem Einsatz im Hochtemperaturbereich stabil. Die Wärmeausdehnungseigenschaften sind gleich wie die der Wafer .
Im Vergleich zu anderen, in der Halbleiterindustrie verwendeten Materialien, garantiert das Silizium höchste Reinheit während des Prozesses. Aus diesem Grund ist Silizium das optimale Material für den Halbleiterprozess. Silizium hat eine sehr feine Oberflächenbeschaffenheit. Spezielle Oberflächenreinigung und Qualitätskontrolle gewährleisten einen partikelarmen Prozesses.

Herstellung von CZ Silicon und Bearbeitung von FZ & CVD Silicon

  Silicon Quartz
SiC
Divitrification No Yes No
1200 to 1300 °C Stable Plastic, Warps Stable
Coefficient of thermal Expansion Similar to wafer ~5 Times less ~1.85 Times more
Thermal conductifity (1000 °C) Similar to wafer ~10 Times higher ~10% less
Estimated costs of ownership (anno) 100% ~380% ~195%
Slip at 1200 °C None N.A. Yes
Purity 0.35 4.1 1.45

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Produkte

Silizium Wafer Boote

  • für Wafer von 2“ bis 12“
  • Schlitzbreiten ab 0,3 mm
  • je nach Schlitzgeometrie 1 - 400 Schlitze
  • Horizontal und Vertical Boote
  • Platten - , Schalen oder Stabboote
  • für automatische Waferhandlingsysteme
  • für alle standard Ofensysteme
  • für Hochtemperaturanwendungen 1350°C
  • Boote nach Kundenspezifikation

Weitere Silizium Produkte

  • Rohre bis Durchmesser von 230 mm
  • und Längen bis 2300 mm
  • mit Endkappen und Gasanschlüssen
  • für alle standard Ofensysteme
  • Liner, Injekor uns Pedestals für alle Ofensysteme
  • In gots und Stäbe
  • Platten und Prismen
  • Showerheads
  • Teile nach Kundenspezifikation

Spezielle Verbindungstechniken

  • Glassing Technologie für Siliziumprodukte
    Temperaturbeständig bis 1100 °C, säurefest
  • Crystallisation ( 100% Homogene Kristallverbindung )
    Temperaturbeständig bis 1350 °C, säurefest

Czochralski Ziehanlage

Herstellung von CZ Silizium für die Produktion von verschiedensten Teilen nach Kundenspezifikation.

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